Микросхема IR2110S, драйвер MOSFET/IGBT, 500 В, SOIC-16

IR2110S — двухканальный драйвер затворов MOSFET и IGBT, 500 В, SOIC-16W

IR2110S — высоковольтная микросхема драйвера затворов силовых MOSFET- и IGBT-транзисторов, предназначенная для управления верхним и нижним ключами полумостовых преобразователей.

Микросхема содержит два независимых канала управления: High-Side для верхнего транзистора и Low-Side для нижнего. Высоковольтный канал поддерживает работу с потенциалом переключающего узла до 500 В и может питаться по bootstrap-схеме.

IR2110S позволяет реализовать управление силовыми транзисторами в импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях напряжения, приводах электродвигателей и другом силовом электронном оборудовании.

Основные характеристики:

• Тип: драйвер затворов MOSFET / IGBT

• Конфигурация: High-Side + Low-Side

• Количество каналов: 2

• Максимальное напряжение верхнего плеча: 500 В

• Напряжение питания драйвера: 10–20 В

• Отдельное питание логической части: 3,3–20 В

• Пиковый выходной ток: 2 А по сводке даташита rev. V

• Типовая задержка включения: 120 нс

• Типовая задержка выключения: 94 нс

• Поддержка bootstrap-питания: есть

• Защита от пониженного напряжения питания: UVLO

• Вход отключения драйвера: Shutdown

• Рабочая температура окружающей среды: −40…+125 °C

• Корпус: SOIC-16 Wide Body

• Количество выводов: 16

• Монтаж: SMD

Применение:

• Импульсные блоки питания

• Полумостовые и мостовые инверторы

• Преобразователи DC-DC

• Системы управления электродвигателями

• Силовые ключевые каскады на MOSFET и IGBT

• Промышленная силовая электроника

Микросхема предназначена для поверхностного монтажа. При проектировании необходимо учитывать требования к питанию, bootstrap-цепи, развязке, расположению компонентов и защите силовых транзисторов.